[9p-S221-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[9p-S221-9] 格子ランダムウォークに基づくReRAM信頼性の数値モデル

〇松田 慎平¹、竹内 健¹ (1.中央大理工)

キーワード：抵抗変化型メモリ

酸素空孔フィラメントによるReRAMの信頼性、特にデータ保持の信頼性を格子ランダムウォークによる拡散現象の数値モデルに基づいて議論する。