[9p-S223-1~12] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

[9p-S223-4] 電子線誘起による高分子薄膜における金属ナノ粒子の合成とパターニングに関する研究

〇山本 洋揮¹、古澤 孝弘²、田川 精一²、マリグリナー ジャンルイ³、モスタファビ メラン³、ベローニ ジャックリン³ (1.量研、2.阪大産研、3.パリ南大学)

キーワード：レジスト、電子線、金属ナノ粒子

半導体の微細化に伴って、微細加工の技術革新が行われてきた。現在、20 nm以下の量産では化学増幅型レジストと呼ばれるレジストが使用されており、酸触媒反応によるパターン形成で高感度化を実現している。シングルナノのパターンを形成するのに極めて少ない照射量で、かつ1 nm以下の精度（ラフネス制御）で加工することが要求されている。加えて、パターン倒壊に伴う極薄膜化が必要不可欠であるため、十分なエッチング耐性をレジストに持たせる必要がある。それゆえ、金属酸化物レジストなどといった革新的な材料の研究・開発が進められているが、現在のところ、このような要求に応えられる材料を見出すには至っていないのが現状である。本研究では75ｋVの電子線描画装置で電子線照射によるポリマーフィルム中での金属ナノ粒子の合成、およびその形成機構について調べ、EB照射による金属含有ポリマーの微細パターンの形成についても試みた。