[9p-S422-1~13] 15.1 バルク結晶成長

[9p-S422-1] [15. 結晶工学　分科内招待講演] 結晶成長における実験とシミュレーションのシナジー効果：
欠陥をどこまで予測可能か

〇柿本 浩一¹ (1.九大応力研)

キーワード：半導体、シミュレーション

現在、数値計算による結晶成長および欠陥形成の定量解析が活発になってきている。結晶成長や欠陥解析に対して数値計算を行う場合、対象デバイスを考慮に入れた結晶形状や欠陥形成の定量解析と予測が重要になってきている。同時に、欠陥低減のための結晶成長プロセスの定量予測が必須となってきている。本講演では、Si, SiC, GaN, Al₂O₃の融液成長や物理気相成長法における転位や結晶多形の欠陥形成に関する実験と数値解析の定量比較と欠陥形成の回避策の例について紹介する。