[9p-S422-1~13] 15.1 バルク結晶成長

[9p-S422-5] TLZ法によるシリコンゲルマニウム結晶育成におけるB濃度制御方法の検討

川上 こゆき¹、小川 晃司¹、菊地 理佳¹、荒井 康智²、〇太子 敏則¹ (1.信大工、2.JAXA)

キーワード：シリコンゲルマニウム、不純物偏析、TLZ法

シリコンゲルマニウム（Si_xGe_1-x）におけるBの偏析係数は、SiとGeの中間の値をとると予想されるが、Si_0.5Ge_0.5の組成近傍での報告事例はない。本研究では、TLZ法等のるつぼ内で結晶育成においてB濃度を制御することを目的とし、Bの偏析現象について検討した。