[9p-S422-1~13] 15.1 バルク結晶成長

[9p-S422-6] Flux-Film-Coated NaフラックスLPE(FFC-LPE)法によるGaN結晶成長

〇川村 史朗¹、谷口 尚¹ (1.物材機構)

キーワード：Naフラックス、窒化ガリウム、基板

Naフラックスを用いた液相エピタキシャル成長によってGaN単結晶基板の育成に成功しているが、成長時に小さなファセットが会合しながら成長するため、フラックス成分がインクルージョンとして結晶内に取り込まれてしまう。インクルージョンの取り込みを排除する手法として、成長表面をフラックス膜で連続的にコーティングしながら成長させるFFC-LPE法を発展させることで、インクルージョンフリーの高品質GaN単結晶基板の育成に成功した。