[9p-S422-1~13] 15.1 バルク結晶成長

[9p-S422-7] Inフラックスを用いた温度差法によるGaSe結晶の低温溶液成長

〇(D)佐藤 陽平¹、唐 超¹、渡辺 克也¹、大崎 淳也¹、山本 卓也²、田邉 匡生¹、小山 裕¹ (1.東北大工、2.東北大環)

キーワード：層状半導体、溶液成長、温度差法

THz波光源としての応用が期待される二次元層状化合物半導体GaSe結晶を、光源特性の向上を目的として溶液から低温成長し、Inフラックスを使用することにより、その成長速度を高速化させることに成功した。成長した結晶に対してはPL測定などにより結晶中のIn取り込み量を評価した。