[9p-W351-1~12] 9.4 熱電変換

[9p-W351-11] Large evolution of ZT in p-type nanocrystalline bulk Si-Ge

オムプラカシ ムスサミー¹、ゴドケ スワプニル¹、デリムコドリー ケビン¹、足立 真寛²、山本 喜之²、〇竹内 恒博¹ (1.豊田工業大学、2.住友電機工業)

キーワード：ナノ構造化、電子構造制御

ｐ型Si-Ge系熱電材料は、n型と比較して性能が低く、ZT > 1.5を示す材料の報告はほとんどない。我々は、電子構造とナノ構造を制御することで、ZT > 1.8を示すn型Si-Ge系熱電材料の作製に成功し、すでに報告している。今回は、その対となる高性能p型Si-Ge系熱電材料を作製し、ZT > 1.5を実現したことから報告する。