2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 窒化物半導体特異構造の科学 ナノ物性評価技術の進展と物性制御

[9p-W541-1~8] 窒化物半導体特異構造の科学 ナノ物性評価技術の進展と物性制御

2019年3月9日(土) 13:30 〜 18:00 W541 (W541)

片山 竜二(阪大)、川上 養一(京大)

16:30 〜 17:00

[9p-W541-6] レーザーTHz放射顕微鏡による窒化物半導体特異構造の分極マッピング

川山 巌1 (1.阪大レーザー研)

キーワード:テラヘルツ、ワイドギャップ半導体、分極

我々これまで、テラヘルツ(THz)波の透過・反射を利用する通常のTHz分光法とは異なり、試料そのものから発生するTHz波に着目した分光・イメージング手法であるレーザーTHz放射顕微鏡/分光法 (LTEM/LTES)を開発し、様々な材料やデバイスに適用してきた。本講演では、LTEM/LTESの原理およびGaNを中心とした最近の測定例、および今後の展望について述べる。