[9p-W611-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

[9p-W611-2] ヘテロ接合太陽電池作製時における界面欠陥のその場評価

〇布村 正太¹、坂田 功¹、松原 浩司¹ (1.産総研太陽光発電研究センター)

キーワード：シリコンヘテロ接合太陽電池、界面欠陥、水素化アモルファスシリコン

シリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池の高効率化には、結晶シリコン(c-Si)表面の欠陥を良好にパッシベーションする必要がある。通常、パッシベーション材料として水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)が用いられ、表面の欠陥（ダングリングボンド等）は~10¹⁰cm^-2以下に低減され高効率化が実現される。しかしながら、パッシベーション膜形成時に表面欠陥がどのように終端されデバイス特性が向上するかについての知見は十分に得られていない。今回、c-Si上a-Si:Hの成長時における欠陥の発生と修復について予備実験を行ったのでその結果を報告する。