[9p-W631-1~11] 3.7 レーザープロセシング

△ [9p-W631-2] フェムト秒レーザ照射誘起改質を応用したNi/SiC界面における電極形成

〇(B)水尾 優作¹、渕上 裕暉²、富田 卓朗³、久澤 大夢³、岡田 達也³ (1.徳島大・工・学部生、2.徳島大・院生、3.徳島大・理工)

キーワード：シリコンカーバイド、フェムト秒レーザ、I-V特性

Ni/SiC界面にオーミックコンタクトを形成するアニール温度を低下させるため，SiC表面にフェムト秒レーザをライン照射して，表面改質を導入した．その後，照射部上にNi薄膜を蒸着し，773Kでアニールを行った．アニール前後のNi電極間のI-V特性を測定した．レーザ照射した電極間は，アニールを行わない時点で既に，ショットキー型ではない特性を示した．アニール時間を伸ばすにつれて，I-V曲線は直線に近づき，18分アニール後にほぼ線形となった．この特性向上は，レーザ改質がSiCの分解を促進し，Ni/SiC界面におけるNiシリサイドの形成と，余剰C原子のNi表面への拡散をもたらしたことによると解釈できる．