17:30 〜 17:45 △ [10p-Z09-19] 原子スケールでSiO2/Si界面の電子フォノン散乱を考慮したSiナノワイヤ中の移動度計算 〇田中 貴久1、矢嶋 赳彬1、内田 建1 (1.東大工)