09:45 〜 10:00 △ [10a-Z24-5] スパッタリング法によるHfO2基強誘電体厚膜のシリコン基板上への室温製膜とその電気特性および圧電特性評価スパッタリング法によるHfO2基強誘電体厚膜のシリコン基板上への室温製膜とその電気特性および圧電特性評価 〇(PC)志村 礼司郎1、三村 和仙1、舘山 明紀1、清水 荘雄1、舟窪 浩1 (1.東工大物院)