13:30 〜 13:45 △ [11p-Z12-5] GaN高電子移動度トランジスタの内部構造評価パワーデバイス用結晶の評価(XXXIII) 〇(M1)加藤 圭一郎1、中山 敬太1、佐藤 宜夫1、山本 秀和1 (1.千葉工大工)