大西寿仁

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発表者・著者、共著者

2020年9月11日(金) 09:00 〜 11:30 Z07

一般セッション(口頭講演)
| 6 薄膜・表面
| 6.3 酸化物エレクトロニクス

[11a-Z07-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

10:30 〜 10:45

[11a-Z07-6] HfO₂を用いたチャージトラップメモリのアナログ動作における印加パルス極性の影響

〇(M1)大西寿仁¹、奈良安雄¹ (1.兵庫県立大工)