15:15 〜 15:30 [11p-Z09-8] トンネル結合した電荷センサを持つ物理形成シリコン量子ドットの特性評価 〇溝口 来成1、西山 伸平1,2、加藤 公彦2、柳 永勛2、森 貴洋2、小寺 哲夫1 (1.東工大、2.産総研)