17:30 〜 17:45 [9p-Z12-18] 歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける正孔移動度のチャネル方向依存性 〇(M1)藤澤 泰輔1、各川 敦史1、浪内 大地1、佐野 雄一1、泉 大輔1、山中 淳二1、原 康祐1、澤野 憲太郎2、中川 清和1、有元 圭介1 (1.山梨大工、2.東京都市大総研)