11:00 〜 11:15 △ [9a-Z20-8] 陽極酸化法Al2O3ゲート絶縁膜を用いたIGZO TFTの低温作製 〇(M1)河野 守哉1、森 海1、曲 勇作1,2、古田 守1,2 (1.高知工大、2.高知工大ナノ研)