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MEMS・半導体製造に不可欠なSi深掘り装置で、今年6月で発売25周年を迎えた。
｜特長｜
・高精度エッチング
・高均一性
・低スキャロップ
・高速エッチング
・SOIノッチフリー
・高マスク選択比
・高アスペクト比エッチング
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SiC、化合物/酸化膜エッチング装置(Spica, Sirius)
｜特長｜
【Spica】・低ダメージ・高エッチング量制御性
【Sirius】・高速エッチング・高アスペクト石英エッチング
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犠牲層エッチング装置(Vetelgeuse, SPTS社Primaxx-uEtch, XACTIX-Xetch)
MEMS用途で、無水HFとアルコールによるシリコン酸化膜犠牲層エッチング装置と，XeF2（2フッ化キセノン）によるシリコン犠牲層エッチング装置です。
｜特長｜
【Vetelgeuse, SPTS社Primaxx-uEtch】・スティクションフリー・アルミ電極の腐食なし・廃液処理不要
【SPTS社XACTIX-Xetch】・スティクションフリー・高選択比
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シリコン系薄膜プラズマCVD装置(Cetus, SPTS社Delta)
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金属膜成膜装置(SPTS社Sigma): 金属膜成膜用PVD装置
｜特長｜
・高被覆性
・ウィスカーフリー厚膜Al成膜
・高スループットUBM/RDL成膜( FO対応)
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熱処理装置(SPT USA社AVP/RVP/RVP-300): Poly-Si膜やSiN膜の常圧CVD装置及び熱処理装置。
｜特長｜
・厚膜Poly-Si
・高スループット
・低ストレスSiN
・低コスト
https://www.spp-technologies.co.jp/products/products12/"
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分子膜成膜装置(SPTS社MVD): 分子を材料として、分子膜を形成する成膜装置。
｜特長｜
・各種機能膜の成膜
・コンフォーマルな成膜
・低温成膜
・各種基板に対応
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分ミニマル装置(Si深掘り, メタルドライエッチング, TEOSプラズマCVD, SiNプラズマCVD)
ミニマルファブ対応のミニマル装置。
｜特長｜
【Si深掘り】・SOIノッチフリー・高マスク選択比・高アスペクト比エッチング
【メタルドライエッチング】・高選択比・垂直なエッチング
【TEOSプラズマCVD】・厚膜成膜・低ストレス
【SiNプラズマCVD】・低温成膜・低ストレス
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