[8p-Z10-1~11] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

2020年9月8日(火) 13:00 〜 16:00 Z10

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13:00 〜 13:15

▲ [8p-Z10-1] [Highlight]Electron and lattice cooling in thermionic emission heterostructures with tilted barriers

〇Marc Bescond¹、Aymen Yangui¹、Xiangyu Zhu²、Naomi Nagai²、Kazuhiko Hirakawa^2,1 (1.LIMMS/CNRS-IIS, Univ. of Tokyo、2.IIS and INQIE, Univ. of Tokyo)

13:15 〜 13:30

▲ [8p-Z10-2] Activation behavior of I-V characteristics in semiconductor thermionic cooling heterostructures

〇Xiangyu Zhu¹、Marc Bescond²、Gerald Bastard³、Naomi Nagai¹、Kazuhiko Hirakawa^1,2 (1.IIS, Univ. of Tokyo、2.LIMMS-CNRS、3.Ecole Normale Superieure)

13:30 〜 13:45

[8p-Z10-3] 微小球キャビティと光機械結合した化合物半導体ナノワイヤ

浅野元紀¹、章国強^1,2、俵毅彦^1,2、山口浩司¹、〇岡本創¹ (1.NTT物性基礎研、2.NTTナノフォトニクスセンタ)

13:45 〜 14:00

[8p-Z10-4] 機械振動子を用いたEr³⁺:Y₂SiO₅励起準位の歪制御

〇太田竜一¹、Bastidas Victor¹、俵毅彦^1,2、山口浩司¹、岡本創¹ (1.NTT物性研、2.NTTナノフォトニクスセンタ)

14:00 〜 14:15

[8p-Z10-5] 表面弾性波を用いたCdTe量子ドットのPLスペクトルの変調

〇有野雅史¹、森田真衣¹、牧田憲治¹、黒田眞司¹、Vivekanand Tiwari²、Herve Boukari²、Lucien Besombes² (1.筑波大数理物質、2.CNRSネール研)

14:30 〜 14:45

[8p-Z10-6] 液滴エピタキシー成長GaAs量子ドットにおけるPLピーク位置温度依存性に対する非発光再結合の影響

〇宮内雄大¹、川畑公佑¹、中村泰樹¹、間野高明²、野田武司²、碇哲雄¹、福山敦彦¹ (1.宮崎大工、2.物材機構)

14:45 〜 15:00

[8p-Z10-7] InGaAs量子ドットの光スピン特性のｐドーピング濃度依存性

〇阪元和弥¹、樋浦諭志¹、高山純一¹、村山明宏¹ (1.北大院情報科学)

15:00 〜 15:15

[8p-Z10-8] 半導体超格子バリアから量子ドットへのスピン輸送と注入後のスピン緩和

〇畠山沙衣子¹、樋浦諭志¹、高山純一¹、村山明宏¹ (1.北大院情報科学)

15:15 〜 15:30

[8p-Z10-9] 反射率変化で観測するGaAs/AlAs多重量子における重い正孔-軽い正孔励起子間相互作用に対する励起子の安定性の効果

〇小島磨¹、喜多隆¹、Hogg Richard² (1.神戸大院工、2.Univ. Glasgow)

15:30 〜 15:45

[8p-Z10-10] 光パルスペア励起下でのGaAsナノ構造膜のテラヘルツ波放射の観測

〇長谷川尊之¹ (1.大阪工大工)

15:45 〜 16:00

△ [8p-Z10-11] 多層ＭＩＭダイオードの開発と無線電力伝送への応用

〇林優輔¹、嶋村耕平¹、横田茂¹、山崎将嗣²、藤原康平³ (1.筑波大構エネ、2.産総研、3.都産技研)

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