一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:00 〜 09:15
〇大熊 光1、片山 裕美子1、上野 和紀1 (1.東大院総合)
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09:15 〜 09:30
〇神田 龍彦1、志賀 大亮1,2、湯川 龍2、長谷川 直人1、徳永 凌佑1、程 详遴1、北村 未歩2、堀場 弘司2、吉松 公平1、組頭 広志1,2 (1.東北大多元研、2.KEK 物構研)
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09:30 〜 09:45
〇小塚 裕介1、磯上 慎二1、Das Saikat1、藤岡 淳2、葛西 伸哉1,3 (1.物材機構、2.筑波大、3.JST-PRESTO)
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09:45 〜 10:00
〇野中 信1、服部 梓1、田中 秀和1 (1.阪大産研)
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10:00 〜 10:15
〇難波 央1、服部 梓1、田中 秀和1 (1.阪大産研)
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10:30 〜 10:45
〇滝川 潤1、山本 真人2、谷口 尚3、渡邊 賢司3、神吉 輝夫1、田中 秀和1 (1.阪大産研、2.関大システム理工、3.物質材料研究機構)
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10:45 〜 11:00
〇嶋本 健人1、三浦 光平1、桐谷 乃輔1、吉村 武1、芦田 淳1、藤村 紀文1 (1.阪府大院工)
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11:00 〜 11:15
〇三浦 光平1、嶋本 健人1、桐谷 乃輔1、吉村 武1、芦田 淳1、藤村 紀文1 (1.阪府大院工)
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11:15 〜 11:30
〇石井 聡1、鈴木 慧1、守屋 佑希久1、中根 茂行2、安食 博志1、名嘉 節2 (1.電機大理工、2.物材機構)
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