[10a-Z02-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10a-Z02-9] 低濃度p型GaN縦型ショットキーバリアダイオード構造の作製と評価

〇上野 耕平¹、柴原 啓太¹、小林 篤¹、藤岡 洋¹ (1.東大生研)

キーワード：GaN, スパッタリング, ショットキーバリアダイオード