[10a-Z04-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10a-Z04-2] 縦型p-nダイオードにおける貫通転位のブレークダウン現象への影響

〇太田 博¹、浅井 直美¹、吉田 丈洋²、堀切 文正²、成田 好伸²、三島 友義¹ (1.法政大学、2.サイオクス)

キーワード：GaN, p-n ダイオード, 貫通転位

これまで、貫通転位密度(TDD)の増加によりp-nダイオードのオン抵抗が増大し電流が減少することを報告してきた。今回は転位とブレークダウン現象との関係について検討を行った。その結果、転位が存在する場所でブレークダウン時の破壊は生じず、転位密度と耐圧との相関も見られなかった。この結果は、貫通転位は破壊や耐圧の観点でブレークダウンに影響を及ぼさないということを示唆していると考えられる。