[10a-Z04-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10a-Z04-4] 界面顕微応答法を用いたInAlN-HEMT構造上のショットキー電極の2次元評価

〇内田 昌宏^1,2、川角 優斗²、西村 一巳¹、渡邉 則之²、塩島 謙次² (1.NTT-AT、2.福井大院工)

キーワード：窒化物半導体, HEMT, 界面顕微光応答法

InAlN-HEMT構造エピ結晶上ににショットキー電極を形成し、SIPM:Scanning Internal Photoemission Microscopyによる評価を実施した。AlGaN-HEMT構造でみられたドメインバウンダリーに起因する凹凸と光電流分布の関係はInAlN-HEMT構造でははっきりしなかった。電極領域での組成などの偏りが比較的少ないと考えられる。アニール後の試料では光応答電流の増大と分布の均一化が見られたため、電極プロセス改善の指標としてSIPMが有効であることが確かめられた。