[10a-Z04-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10a-Z04-5] Ni/AlN ショットキーバリアダイオードの温度特性

〇廣木 正伸¹、谷保 芳孝¹、熊倉 一英¹ (1.NTT物性研)

キーワード：AlN, ショットキー障壁

Ni/AlNショットキーバリアダイオード(SBDs)を作製し、その温度特性からショットキー障壁高さ(SBH)の評価を試みた。熱電子放出モデルによるI-V特性からのSBHは室温から673Kへの温度上昇に伴い1.8から2.8 eVへ増加した。また理想因子は1.88から1.15へ減少した。一方、C-V特性からのSBHは室温で3.2 eV程度であり、温度上昇しても一定であった。I-V特性からのSBHは、温度の逆数に比例していることから、障壁の不均一性の影響があると考えられる。以上のことから、Ni/AlNのSBHは2.8-3.2 eV程度と考えられる。