[10a-Z04-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10a-Z04-6] コンタクトレス光電気化学エッチングしたNi/n-GaNショットキーの評価
--電解液による違い--

〇(M2)松田 陵¹、堀切 文正²、福原 昇²、成田 好伸²、吉田 丈弘²、三島 友義³、塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.サイオクス、3.法政大)

キーワード：GaN, ショットキー接触, 光電気化学エッチング

3種類の電解液、(A)KOH : K₂S₂O_8­­­ = 1 : 1、(B)H₃PO₄ : K₂S₂O_{8 =} 1 : 1、(C)K₂S₂O₈、を用いてコンタクトレス光電気化学エッチングしたn形GaNのショットキー電極を評価した。ショットキー障壁高さ(qΦ_B)はエッチング面積に比例し、全面をエッチングした場合の典型的なqΦ_Bの変化量は(A)~ -0.14 eV, (B)~ +0.09 eV, (C)~ -0.17 eVであった。