[10a-Z04-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [10a-Z04-7] N極性GaN HEMT構造での無電極PECエッチング

〇(M2)青田 智也¹、早坂 明泰¹、眞壁 勇夫²、吉田 成輝²、後藤 高寛¹、宮本 恭幸¹ (1.東工大工、2.住電)

キーワード：GaN HEMT, 無電極PECエッチング, N極性

HEMTのリセスや素子分離において、平滑な面が得られるエッチングが重要である。それをウェットエッチングで行うことが出来れば、損傷が少なく済む可能性がある。N極性GaNにおいては、KOHなどによりエッチングを行えるが、そのエッチング面は荒れてしまうという課題があった。一方、Ga極性のGaNにおいてはPEC(Photo-Electro Chemical)エッチングを使えば平滑な面が得られるという報告例がある。そこで我々は無電極PECエッチングを使って、N極性GaN HEMT構造のエッチングを行った。