[10a-Z08-1~10] 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

[10a-Z08-3] 1nmのCo超薄膜における強磁性共鳴の発現

〇芳井 崇悟¹、大島 諒¹、安藤 裕一郎¹、新庄 輝也¹、白石 誠司¹ (1.京都大工)

キーワード：スピントロニクス, 超薄膜強磁性体, 強磁性共鳴

数nmの超薄膜における物理は、薄膜特有のスピン特性を持つことから多くの研究者の注目を集めてきた。一方で、磁性という観点では、超薄膜の強磁性体では一様な磁化の歳差運動は困難であり、超薄膜金属における磁化ダイナミクスを観測することは困難であった。本研究では、1 nmのCo超薄膜の下地層を変えることで、1 nmのCo超薄膜においてバルクのような線幅を持つFMR信号を達成することに成功した。講演では、より詳しい議論を行う。