The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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Oral presentation

10 Spintronics and Magnetics » 10.2 Fundamental and exploratory device technologies for spin

[10a-Z08-1~10] 10.2 Fundamental and exploratory device technologies for spin

Thu. Sep 10, 2020 8:45 AM - 11:30 AM Z08

Takeshi Seki(Tohoku Univ.), Tomohiro Taniguchi(AIST)

10:15 AM - 10:30 AM

[10a-Z08-6] Suppressing inverse spin Hall effect in ultra-thin Pd film by ionic gating

〇(M2)Shin-ichiro Yoshitake1, Ryo Ohshima1, Teruya Shinjo1, Yuichiro Ando1, Masashi Shiraishi1 (1.Kyoto Univ.)

Keywords:spintronics, inverse spin Hall effect, ionic gate

逆スピンホール効果はスピン流を電流に変換するスピントロニクスにおいて重要な現象である。近年、イオンゲートを利用してPt超薄膜の逆スピンホール効果を可逆的に抑制できることが報告された。本研究では膜厚1.5 nmのPd超薄膜にイオンゲートを適用し、抵抗と逆スピンホール効果が抑制されることを確認した。本講演では実験の詳細を紹介し結果の考察を行う。