[10a-Z08-1~10] 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

[10a-Z08-6] イオンゲートを用いたPd超薄膜における逆スピンホール効果の抑制

〇(M2)吉武 慎一郎¹、大島 諒¹、新庄 輝也¹、安藤 裕一郎¹、白石 誠司¹ (1.京大工)

キーワード：スピントロニクス, 逆スピンホール効果, イオンゲート

逆スピンホール効果はスピン流を電流に変換するスピントロニクスにおいて重要な現象である。近年、イオンゲートを利用してPt超薄膜の逆スピンホール効果を可逆的に抑制できることが報告された。本研究では膜厚1.5 nmのPd超薄膜にイオンゲートを適用し、抵抗と逆スピンホール効果が抑制されることを確認した。本講演では実験の詳細を紹介し結果の考察を行う。