[10a-Z09-1~9] 23.1 Joint Session N "Informatics"

[10a-Z09-9] Bayesian optimization for epitaxial growth process of Si thin film using adaptive constraints

〇Keichi Osada^1,4, Kentaro Kutsukake^2,4, Jun Yamamoto³, Shigeo Yamashita³, Takashi Kodera³, Yuta Nagai³, Tomoyuki Horikawa³, Kota Matsui⁵, Ichiro Takeuchi^2,6, Toru Ujihara^1,4,7 (1.Grad. Sch. Eng., Nagoya Univ., 2.AIP, RIKEN, 3.GlobalWafers Japan, 4.IMaSS, Nagoya Univ., 5.Grad. Sch. Med., Nagoya Univ., 6.Nagoya Inst. Tech., 7.GaN-OIL, AIST)

Keywords:Bayesian optimization, process informatics, epitaxial growth process

回帰の不確実性を利用して探索と活用をバランス良く行うベイズ最適化は，少ない実験回数でより良い条件を得る逐次最適化方として広く利用されている．本研究では，化学気相堆積法（CVD）によるSiエピタキシャル成長へこれを応用した．品質の要求値を全て満たし，かつ，成長速度を最大化するように，制約付きベイズ最適化を用いて実験を繰り返し行った．最終的に成長速度を2倍かつ成膜品質の要求値を全て満たす成膜条件を取得した．