[10a-Z09-1~9] 23.1 合同セッションN「インフォマティクス応用」

[10a-Z09-9] Siエピタキシャル成長プロセスにおける適応的な制約を用いたベイズ最適化

〇長田 圭一^1,4、沓掛 健太朗^2,4、山本 純³、山下 茂雄³、小寺 崇³、永井 勇太³、堀川 智之³、松井 孝太⁵、竹内 一郎^2,6、宇治原 徹^1,4,7 (1.名大院工、2.理研AIP、3.グローバルウェハーズ・ジャパン、4.名大未来研、5.名大院医、6.名工大院工、7.産総研 GaN-OIL)

キーワード：ベイズ最適化, プロセスインフォマティクス, 薄膜成長プロセス

回帰の不確実性を利用して探索と活用をバランス良く行うベイズ最適化は，少ない実験回数でより良い条件を得る逐次最適化方として広く利用されている．本研究では，化学気相堆積法（CVD）によるSiエピタキシャル成長へこれを応用した．品質の要求値を全て満たし，かつ，成長速度を最大化するように，制約付きベイズ最適化を用いて実験を繰り返し行った．最終的に成長速度を2倍かつ成膜品質の要求値を全て満たす成膜条件を取得した．