[10a-Z18-1~10] 3.11 Photonic structures and phenomena

△ [10a-Z18-1] Integration of telecom quantum-dot single-photon sources on Si waveguides by transfer printing

〇(D)Ryota Katsumi^1,2,3, Yasutomo Ota⁴, Takeyoshi Tajiri², Satoshi Iwamoto^1,2,4, Hidefumi Akiyama³, J. P. Reithmaier⁵, M. Benyoucef⁵, Yasuhiko Arakawa⁴ (1.RCAST, Univ. of Tokyo, 2.IIS, Univ. of Tokyo, 3.ISSP, Univ. of Tokyo, 4.NanoQuine, 5.Univ. of Kassel)

Keywords:single photon source, silicon photonics, transfer printing

Siフォトニクスを活用した量子光回路の構築は、大規模化・高機能化の観点から極めて有望である¹。スケーラブルな光量子情報処理をSi上で実現する上で、決定論的に動作可能な固体量子光源の集積は重要な課題の1つである。そこで我々は、転写プリント法を用いた量子ドット(QD)光源²のSi上ハイブリッド集積を進めており、既に1.15 μm帯InAs/GaAs QDによるSi上単一光子源を実証している³。一方、Siフォトニクスの光機能を最大限活用するためには、同系における素子開発が成熟したO～Cバンドで発光するQDを用いることが望ましい⁴。そこで今回、同波長帯で発光するInAs/InP QD光源をSi-CMOS光回路上へ転写プリント法により集積し、単一光子発生と導波路伝搬の観測に成功したので報告する。