[10a-Z18-1~10] 3.11 フォトニック構造・現象

△ [10a-Z18-1] 転写プリント法による通信波長帯量子ドット単一光子源のSi導波路上集積

〇(D)勝見 亮太^1,2,3、太田 泰友⁴、田尻 武義²、岩本 敏^1,2,4、秋山 英文³、Reithmaier J. P.⁵、Benyoucef M.⁵、荒川 泰彦⁴ (1.東大先端研、2.東大生研、3.東大物性研、4.東大ナノ量子機構、5.カッセル大)

キーワード：単一光子源, シリコンフォトニクス, 転写プリント法

Siフォトニクスを活用した量子光回路の構築は、大規模化・高機能化の観点から極めて有望である¹。スケーラブルな光量子情報処理をSi上で実現する上で、決定論的に動作可能な固体量子光源の集積は重要な課題の1つである。そこで我々は、転写プリント法を用いた量子ドット(QD)光源²のSi上ハイブリッド集積を進めており、既に1.15 μm帯InAs/GaAs QDによるSi上単一光子源を実証している³。一方、Siフォトニクスの光機能を最大限活用するためには、同系における素子開発が成熟したO～Cバンドで発光するQDを用いることが望ましい⁴。そこで今回、同波長帯で発光するInAs/InP QD光源をSi-CMOS光回路上へ転写プリント法により集積し、単一光子発生と導波路伝搬の観測に成功したので報告する。