[10a-Z20-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[10a-Z20-4] 顕微ラマンイメージングとスペクトル解析によるn形ZnO結晶の高温電子物性に関する研究

〇(M1)加悦 港人¹、須田 潤¹ (1.中京大工)

キーワード：ワイドギャップ半導体

ZnO結晶は,室温で3.3eVと大きなバンドギャップを有し，高電界下での飽和速度が高いためハイパワーデバイスへの応用に適した材料として最近注目されている. 一般に、ワイドギャップ半導体は200℃以上の高温で動作させるため，高温状態の電子物性を解明する必要がある．本研究では, 高温領域のn形ZnOの3Dラマンイメージング測定と誘電分散によるLOPCモードのスペクトル解析を行い，200℃における高温電子物性を調べたので報告する．