[10a-Z20-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[10a-Z20-5] µCLBS 法による石英上 CuO 薄膜内の単結晶 Cu2O 帯成長

〇大峠 開星¹、葉 文昌¹、小林 伸彦² (1.島根大、2.カリフォルニア大サンタクルーズ校)

キーワード：レーザー結晶化, 酸化銅, 薄膜トランジスタ