[10a-Z24-1~12] 【CS.5】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[10a-Z24-1] Si直上Y:HfO₂エピタキシャル薄膜の界面誘電特性

〇佐保 勇樹¹、宝栄 周弥¹、高田 賢志¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.阪府大工)

キーワード：HfO2, エピタキシャル成長, 界面準位

HfO₂系強誘電体は直方晶相を安定化させることによって10 nm以下の極薄膜においても強誘電性を示し、CMOSプロセスとの適合性も高いことから注目を集めている。しかし、多結晶成長による素子間の特性分布や、HfO₂/Si界面での界面層の形成によって生じる閾値電圧の増加などの問題が顕在化している。そのため、界面層や界面準位の形成を抑制し、尚且つSi直上に直方晶のHfO₂をエピタキシャル成長させる技術は極めて重要である。本講演では、Si直上Y:HfO₂エピタキシャル薄膜の界面誘電特性について検討した。