[10a-Z24-1~12] 【CS.5】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[10a-Z24-12] Si強誘電体FETにおける強誘電分極に誘起される反転層電荷の振る舞い

〇トープラサートポン カシディット¹、林 早阳¹、李 宗恩¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：強誘電体FET, 動作機構, メモリ窓

本研究ではHf_0.5Zr_0.5O₂/Si FeFETにおける電子と正孔の反転層電荷の振る舞いを調べた。分極によってp-FeFETの反転層正孔は効率よく形成される一方、n-FeFETの電子はほとんどトラップされる。このような分極と反転層の相互作用はデバイス特性に大きく影響を与えることがわかった。