[10a-Z24-1~12] 【CS.5】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[10a-Z24-3] ミストCVD法によるHf_1-xZr_xO₂薄膜の強誘電体シナプス素子応用に関する基礎的検討

〇(M1)藤原 悠希¹、田原 大祐¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹、野田 実¹ (1.京工繊大)

キーワード：二酸化ハフニウムジルコニウム, ミストCVD, 強誘電体

ニューロモルフィックシステムで各ニューロン間に位置するシナプス素子では、 その良好な入出力間線形性、シナプス荷重値の高頻度な更新に対するメモリ耐久 性が必要である。前回我々はミストCVD法によるHf_1-x Zr_x O₂ 強誘電体薄膜 の物理的、電気的特性を報告した。今回同膜の耐久性・線形性について検討した 結果、良好な結果が得られ、強誘電体アナログメモリとして利用できる可能性が 示唆された。