The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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CS Code-sharing session » 【CS.5】 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[10a-Z24-1~12] 【CS.5】 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

Thu. Sep 10, 2020 8:45 AM - 12:00 PM Z24

Hironori Fujisawa(Univ. of Hyogo), Shosuke Fujii(Kioxia)

10:45 AM - 11:00 AM

[10a-Z24-8] Improvement of ferroelectricity of thick ferroelectric films using HfxZr1−xO2/ZrO2 stack structure

Takashi Onaya1,2,3,4, Toshihide Nabatame2, Mari Inoue2, Yong Chan Jung3, Heber Hernandez-Arriaga3, Jaidah Mohan3, Harrison S. Kim3, Naomi Sawamoto1, Takahiro Nagata2, Jiyoung Kim3, Atsushi Ogura1,5 (1.Meiji Univ., 2.NIMS, 3.UT Dallas, 4.JSPS Research Fellow DC, 5.MREL)

Keywords:ferroelectric HfxZr1-xO2 thin film, HfxZr1-xO2/ZrO2 stack structure, endurance property

HfxZr1−xO2 (HZO)薄膜は、低温プロセスやCMOSプロセスとの親和性に優れていることから、強誘電体メモリへ向けた候補材料として期待されている。一般的に、HZO膜は膜厚10 nm程度で最大残留分極(2Pr)値を得られる反面、膜厚の増加と共に2Pr値が減少する問題がある。そこで本研究では、膜厚20 nm以上の厚膜領域での安定した強誘電性発現を目的として、HZO/ZrO2積層構造を用いて、強誘電性及び疲労特性について調べた結果を報告する。