[10a-Z24-1~12] 【CS.5】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[10a-Z24-8] Hf_xZr_1−xO₂/ZrO₂積層構造による強誘電体厚膜の強誘電性の向上

〇女屋 崇^1,2,3,4、生田目 俊秀²、井上 万里²、Jung Yong Chan³、Hernandez-Arriaga Heber³、Mohan Jaidah³、Kim Harrison S.³、澤本 直美¹、長田 貴弘²、Kim Jiyoung³、小椋 厚志^1,5 (1.明治大学、2.物材機構、3.テキサス大学ダラス校、4.学振DC、5.明治大学 MREL)

キーワード：強誘電体HfxZr1−xO2薄膜, HfxZr1−xO2/ZrO2積層構造, 疲労特性

Hf_xZr_1−xO₂ (HZO)薄膜は、低温プロセスやCMOSプロセスとの親和性に優れていることから、強誘電体メモリへ向けた候補材料として期待されている。一般的に、HZO膜は膜厚10 nm程度で最大残留分極(2P_r)値を得られる反面、膜厚の増加と共に2P_r値が減少する問題がある。そこで本研究では、膜厚20 nm以上の厚膜領域での安定した強誘電性発現を目的として、HZO/ZrO₂積層構造を用いて、強誘電性及び疲労特性について調べた結果を報告する。