[10a-Z25-1~9] 12.2 評価・基礎物性

[10a-Z25-1] 和周波分光イメージングによるDPh-BTBT薄膜トランジスタの電界挙動

片桐 千帆¹、〇宮前 孝行¹、ハオ リ²、ファンヤン ヤン²、スティーブ バルデリ² (1.産総研、2.Univ. Houston)

キーワード：有機トランジスタ, 和周波発生分光

駆動中の有機電界効果トランジスタ (OFET) における有機薄膜の分子挙動と内部電界の様子を明らかにするため、我々は圧縮センシングを活用したSFGイメージング技術を使い、駆動中のOFET内部での電界分布や蓄積電荷が引き起こす分極現象に起因した電界誘起SFGイメージング観察を試みた。ゲート電極に電圧印加によってソース・ドレイン電極の縁で、絶縁層の単分子膜に由来するSFG信号の増加が確認された。これはゲート電圧印加時に金電極の縁付近に強い電界が生じており、これが絶縁層に達していることを示唆している。