[10a-Z25-1~9] 12.2 Characterization and Materials Physics

[10a-Z25-3] Electronic States of the Homoepitaxially-grown Rubrene Single-crystalline Thin Films and Their Variations upon Impurity Doping

〇Yasuo Nakayama¹, Masaki Iwashita¹, Ryohei Tsuruta¹, Yuki Gunjo¹, Yusuke Yabara², Seiichiro Izawa², Masahiro Hiramoto² (1.Tokyo Univ. Sci., 2.IMS)

Keywords:photoelectron yield spectroscopy, mid-gap states, hole doping

不純物ドーピングは半導体物質の電子機能性を制御するための基幹技術といえる。有機半導体についても，材料の高純度化と精密に制御された真空蒸着技術により，単結晶へのppmレベルでの制御された不純物ドーピングが可能となった。本研究では，ルブレン単結晶上にホモエピタキシャル成長させた単結晶ルブレン薄膜の電子状態，およびアクセプター分子のドーピングに伴う電子状態の変化を光電子収量分光法による高感度測定により検証した。