[10a-Z25-1~9] 12.2 評価・基礎物性

[10a-Z25-3] ホモエピタキシャル成長した単結晶ルブレン薄膜の電子状態とそのドーピングに伴う変化

〇中山 泰生¹、岩下 政揮¹、鶴田 諒平¹、郡上 祐輝¹、谷原 佑輔²、伊澤 誠一郎²、平本 昌宏² (1.東理大院理工、2.分子研)

キーワード：光電子収量分光補法, ギャップ内準位, 正孔ドーピング

不純物ドーピングは半導体物質の電子機能性を制御するための基幹技術といえる。有機半導体についても，材料の高純度化と精密に制御された真空蒸着技術により，単結晶へのppmレベルでの制御された不純物ドーピングが可能となった。本研究では，ルブレン単結晶上にホモエピタキシャル成長させた単結晶ルブレン薄膜の電子状態，およびアクセプター分子のドーピングに伴う電子状態の変化を光電子収量分光法による高感度測定により検証した。