2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[10a-Z27-1~10] 11.4 アナログ応用および関連技術

2020年9月10日(木) 08:30 〜 11:15 Z27

成瀬 雅人(埼玉大)、丸山 道隆(産総研)

09:30 〜 09:45

[10a-Z27-5] 2THz帯導波管型超伝導ホットエレクトロンボロメータミキサの作製(1)

川上 彰1、入交 芳久1、Wang Ming-Jye2、Lu Wei-Chun2、菱田 有二1、寺井 弘高1 (1.情通機構、2.台湾ASIAA)

キーワード:超伝導, 導波管, ホットエレクトロンボロメータミキサ

超伝導ホットエレクトロンボロメータミキサ(HEBM)は,2 THz以上での動作が期待されているミキサ素子である.我々はNi磁性材料を用いた新たなHEBM構造(Ni-HEBM)を提案,準光学型Ni-HEBMは,低雑音温度と広IF帯域を達成している.現在,より良好なビームパターンを有する導波管型HEBMの開発が望まれており,今回,Si3N4メンブレン構造による2 THz帯導波管型Ni-HEBMを検討, NbN極薄膜成膜法とメンブレン構造形成法について述べる。