[10a-Z28-1~13] 17.2 Graphene

[10a-Z28-11] Fabrication of graphene/diamond junctions by plasma annealing and their interfacial characteristics

〇(M1)Yuga Ito¹, Yuta Imai¹, Yuki Mizuno¹, Hidefumi Asano¹, Kenji Ueda¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:graphene, diamond

近年、グラフェン(sp²炭素)とダイヤモンド(sp³炭素)を組み合わせた炭素sp²-sp³界面で様々の新機能・物性が現れることが理論予測されており注目が集まっている。しかし、一般的に用いられる熱CVD法によるグラフェンの成長では金属触媒が必要となる為、ダイヤモンド等の異種基板上へのグラフェンの直接形成は難しく、ダイヤモンド上グラフェンの作製に関する実験報告は限られている。本研究で我々は、炭素sp²-sp³界面の新規デバイス応用に向け、酸化グラフェンのプラズマ還元アニール(プラズマアニール法)によるダイヤモンド上での高品質グラフェンの作製を試みると共に、グラフェン/ダイヤモンド接合の界面特性等について調査したので報告する。