[10a-Z28-1~13] 17.2 グラフェン

[10a-Z28-2] 強磁場下における電流注入によるグラフェンからの赤外発光

〇上田 弦¹、村野 裕一¹、滝沢 和宏¹、生嶋 健司¹、金 鮮美²、パトラシン ミハエル³、寳迫 巌³、小宮山 進^3,4 (1.農工大院工、2.東大生産研、3.情報通信研究機構、4.東大院総合)

キーワード：グラフェン

グラフェンのギャップレスな線形バンド分散に起因して、強磁場下では非等間隔なランダウ準位とゼロエネルギーランダウ準位が形成される。本研究の目的は、ゼロ磁場と強磁場下におけるグラフェンからの赤外発光のキャリア濃度・磁場依存性を明らかにすることである。本講演ではその実験結果から発光の起源について議論する。