The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

Presentation information

Oral presentation

17 Nanocarbon Technology » 17.2 Graphene

[10a-Z28-1~13] 17.2 Graphene

Thu. Sep 10, 2020 8:30 AM - 12:00 PM Z28

Kosuke Nagashio(Univ. of Tokyo)

10:45 AM - 11:00 AM

[10a-Z28-9] The active sites of graphene oxide-assisted chemical etching of silicon

Wataru Kubota1, Toru Utsunomiya1, Takashi Ichii1, Hiroyuki Sugimura1 (1.Kyoto Univ.)

Keywords:Graphene oxide, Chemical etching of silicon, Catalyst

シリコン表面加工技術として,炭素材料をエッチング反応に対する触媒として用いたアシストエッチングが注目されている.当研究室では酸化グラフェンを用いたアシストエッチングを報告してきた.今回われわれはこの触媒機構解明及びエッチング速度向上のため,酸化グラフェン構造に含まれる欠陥に着目し,異なる方法で作製した酸化グラフェンをアシストエッチングに適用することで,触媒能の構造欠陥依存性について調査した.