[10a-Z29-1~14] 17.3 層状物質

[10a-Z29-10] 原子打ち込みによるTMDドーピング法の開発とそのデバイス応用

〇(M2)村井 雄也¹、劉 崢²、入沢 寿史²、宮田 耕充³、北浦 良¹ (1.名大理、2.産総研、3.都立大理)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド, 半導体, ドーピング

本研究の目的は原子層とくに遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)原子層への高精度なドーパント導入法の確立である。ドーパントの導入によるpおよびn型の制御は、半導体デバイスにおいて最も重要な技術の一つである。本研究ではTMD原子層へ適用可能な制御性の高いドーピング法として低エネルギー原子ビーム照射に着目し、その有効性を調べた。今回の発表では単~数層WSe₂にNb原子をドーピングしてp型半導体を作製した。