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[10a-Z29-11] 数層h-BNの散乱型走査近接場光学顕微鏡によるナノスケール層数評価
キーワード:h-BN, s-SNOM, MOCVD
六方晶窒化ホウ素(h-BN)はグラフェンに代表される二次元材料の絶縁基板として有望である。近年、化学気相成長法による数層h-BNの大面積合成に関する研究も盛んになってきた。しかし、h-BNの層数や、その面内均一性を評価する非破壊で簡便な方法は確立されていない。今回、散乱型走査近接場光学顕微鏡(s-SNOM)により、ナノオーダーの空間分解能でh-BNの面内層数分布を評価できることを報告する。