The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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Oral presentation

17 Nanocarbon Technology » 17.3 Layered materials

[10a-Z29-1~14] 17.3 Layered materials

Thu. Sep 10, 2020 8:30 AM - 12:15 PM Z29

Hitoshi Wakabayashi(Tokyo Tech)

9:30 AM - 9:45 AM

[10a-Z29-5] Fabrication of Sn(S,Se) single crystals

〇(M1)Kohei Ishigai1, Tomoki Takemura1, Ryoji Katsube1, Yoshitaro Nose1 (1.Kyoto Univ.)

Keywords:semiconductor, Layerd material, solid solution

化合物半導体SnS, SnSeは太陽電池材料や熱電材料として注目されている. それらの混晶Sn(S,Se) 形成により物性を制御することにも興味が持たれるが, 電気的特性評価に供するSn(S,Se) 結晶の作成例はほとんどない. 本研究ではSn-Sn(S,Se) 二相試料を蒸発源として蒸留操作を行うことでSn(S,Se) バルク単結晶を作製し, 物性評価を行った. また, 蒸留前後で混晶の組成のずれは約1%程度であり, 仕込み組成を変えることにより容易に組成制御可能であることを明らかにした.